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硅片抛光三步曲

发表时间:2015-01-31

  硅片抛光三步曲

硅片抛光加工

  为了确保硅片的抛光加工精度,根据工艺要求对硅片进行三道抛光工序,分别是粗抛光、细抛光和精抛光。

  一、粗抛工序的目的是去除晶片表面由加工工序残留下的表面损伤层,并达到要求的几何尺寸加工精度,一般抛光加工量约15 μm~20 μm;

  二、细抛工序的目的是进一步降低晶片表面平整度以及粗糙度,一般抛光加工量约为3 μm~6 μm;

  三、精抛工序的目的是“去雾”, 确保晶片表面有极高的纳米形貌特性,一般抛光加工量约小于1 μm;

  每道工序的目的不同,进而在抛光压力、抛光液的组份、粒度、浓度及溶液的pH值、抛光垫的材质、结构及硬度、抛光温度及抛光加工量等均有所差别。了解更多关于抛光条件的问题请关注:http://www.szlapping.com

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        文章关健字:硅片抛光加工、硅片抛光机